拋光粉通常由氧化鈰(VK-CE01)、氧化鋁(VK-L30F)、氧化硅(VK-SP50F)、氧化鐵、氧化鋯(VK-R30F)、氧化鉻等組份組成，不同的材料的硬度不同，在水中的化學性質也不同，因此使用場合各不相同。氧化鋁和氧化鉻的莫氏硬度為9，氧化鈰和氧化鋯為7，氧化鐵更低。氧化鈰與硅酸鹽玻璃的化學活性較高，硬度也相當，因此廣泛用于玻璃的拋光。

光液使用方法

包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光。

1、拋光劑投放量為（根據不同產品的大小，光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置）；

2、拋光時間：根據產品的狀態(tài)來定；

3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

性能特點： 1、光澤度高，可達100度以上，超出新出廠石材的標準。 2、硬度高，不易劃傷，一般硬物（或自然行走）不會對石材造成磨損。 3、均勻、平整、光滑、天然、清澈，有鏡面感覺，顯現石材天然色澤。 4、表面干爽，不吸附塵埃，塵埃沙粒僅停留在表面，易徹底清理。 5、還具有防滑、防污效果。 適用范圍：特特別適用于一些比較難處理的大理石，如：潔士白、大花綠等石材。大理石面板、墻壁的清洗、增亮、防護處理。晶面處理后石材表面的日常維護處理。

這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數量級，是能夠實現全局平面化的有效方法。