一、具體介紹

真空斷路器技術標準真空斷路器在我國近十年來得到了蓬勃的發(fā)展。產(chǎn)品從過去的ZN1～ZN5幾個品種發(fā)展到數(shù)十多個型號、品種，額定電流達到5000A，開斷電流達到50kA的較好水平，并已發(fā)展到電壓達35kV等級。

80年代以前，真空斷路器處于發(fā)展的起步階段，技術上在不斷摸索，還不能制定技術標準，直到1985年后才制定相關的產(chǎn)品標準。

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國內主要依據(jù)標準：

JP3855-96《3.6～40.5kV交流高壓真空斷路器通用技術條件》

DL403-91《10～35kV戶內高壓斷路器訂貨技術條件》

這里需要說明：IEC標準中并無與我國JB3855相對應的專用標準，只是套用《IEC56交流高壓斷路器》。因此，我國真空斷路器的標準至少在下列幾個方面高于或嚴于IEC標準：

(1) 絕緣水平： 試驗電壓 IEC 中國

1min工頻耐壓(kV) 28 42(極間、極對地)48(斷口間)

1.2/50沖擊耐壓(kV) 75 75(極間、極對地)84(斷口間)

(2)電壽命試驗結束后真空滅弧室斷口的耐壓水平：IEC56中無規(guī)定。我國JB3855一96規(guī)定為：完成電壽命次數(shù)試驗后的真空斷路器，其斷口間絕緣能力應不低于初始絕緣水平的80%，即工頻1min33.6kV和沖擊60kV。

(3)觸頭合閘彈跳時間：IEC無規(guī)定，而我國規(guī)定要求不大于2ms。

(4)溫升試驗的試驗電流：IEC標準中，試驗電流就等于產(chǎn)品的額定電流。我國DL403-91中規(guī)定試驗電流為產(chǎn)品額定電流的110%。

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二、真空斷路器的主要技術參數(shù)

真空斷路器的參數(shù)，大致可劃分為選用參數(shù)和運行參數(shù)兩個方面。前者供用戶設計選型時使用；后者則是斷路器本身的機械特性或運動特性，為運行、調整的技術指標。

下表是選用參數(shù)的列項說明，并以三種真空斷路器數(shù)據(jù)為例。

表中所列各項參數(shù)，均須按JB3855和DL403標準的要求，在產(chǎn)品的型式試驗中逐項加以驗證，終數(shù)據(jù)以型式試驗報告為準。

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三、真空斷路器的主要技術參數(shù)

真空斷路器的參數(shù)，大致可劃分為選用參數(shù)和運行參數(shù)兩個方面。前者供用戶設計選型時使用；后者則是斷路器本身的機械特性或運動特性，為運行、調整的技術指標。

下表是選用參數(shù)的列項說明，并以三種真空斷路器數(shù)據(jù)為例。

表中所列各項參數(shù)，均須按JB3855和DL403標準的要求，在產(chǎn)品的型式試驗中逐項加以驗證，終數(shù)據(jù)以型式試驗報告為準。

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四、主要結構

真空斷路器主要包含三大部分：真空滅弧室、電磁或彈簧操動機構、支架及其他部件。

真空滅弧室

按照開關型式不同有外屏蔽罩式陶瓷真空滅弧室、中間封接杯狀縱磁場小型化真空滅弧室、內封接式玻璃泡滅弧室，其基本結構如下：

1氣密絕緣系統(tǒng)(外殼)

由陶瓷、玻璃或微晶玻璃制成的氣密絕緣筒、動端蓋板、定端蓋板、不銹鋼波紋管組成的氣密絕緣系統(tǒng)是一個真空密閉容器。為了保證氣密性，除了在封接式要有嚴格的操作工藝，還要求材料本身透氣性和內部放氣量小。

2導電系統(tǒng)

由定導電桿、定跑弧面、定觸頭、動觸頭、動跑弧面、動導電桿構成。觸頭結構大致有三種：圓柱形觸頭、帶有螺旋槽跑弧面的橫向磁場觸頭、縱向磁場觸頭。目前采用縱磁場技術，此種滅弧室具有強而穩(wěn)定的電弧開斷能力。

3屏蔽系統(tǒng)

屏蔽罩是真空滅弧室中不可缺少的元件，并且有圍繞觸頭的主屏蔽罩、波紋管屏蔽罩和均壓用屏蔽罩等多種。主屏蔽罩的作用是：a防止燃弧過程中電弧生成物噴濺到絕緣外殼的內壁，從而降低外殼的絕緣強度。b改善滅弧室內部電場分布的均勻性，

有利于降低局部場強，促進真空滅弧室小型化。c冷凝電弧生成物，吸收一部分電弧能量，有助于弧后間隙介質強度的恢復。

操作機構

按照斷路器型式不同，采用的操作機構不同。常用的操作機構有彈簧操作機構、CD10電磁操作機構、CD17電磁操作機構、CT19彈簧儲能操作機構、CT8彈簧儲能操作機構。

其它部件

基座、絕緣支撐件、絕緣子等