多晶硅太陽(yáng)能板的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)能板差不多，但是多晶硅太陽(yáng)能板的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少，其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右 (2004年7月1日日本夏普上市效率為14.8%的世界效率多晶硅太陽(yáng)能板)。 從制作成本上來(lái)講，比單晶硅太陽(yáng)能板要便宜一些，材料制造簡(jiǎn)便，節(jié)約電耗，總的生產(chǎn)成本較低，因此得到大量發(fā)展。此外，多晶硅太陽(yáng)能板的使用壽命也要比單晶硅太陽(yáng)能板短。從性能價(jià)格比來(lái)講，單晶硅太陽(yáng)能板還略好。

非晶硅太陽(yáng)電板是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽(yáng)能板，它與單晶硅和多晶硅太陽(yáng)能板的制作方法完全不同，工藝過(guò)程大大簡(jiǎn)化，硅材料消耗很少，電耗更低，它的主要優(yōu)點(diǎn)是在弱光條件也能發(fā)電。但非晶硅太陽(yáng)能板存在的主要問(wèn)題是光電轉(zhuǎn)換效率偏低，國(guó)際先進(jìn)水平為10%左右，且不夠穩(wěn)定，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，其轉(zhuǎn)換效率衰減。

由于太陽(yáng)能板的輸出功率取決于太陽(yáng)輻照度和太陽(yáng)能板溫度等因素，因此太陽(yáng)能板的測(cè)量在標(biāo)準(zhǔn)條件下（STC）進(jìn)行，標(biāo)準(zhǔn)條件定義為： 大氣質(zhì)量AM1.5， 光照強(qiáng)度1000W/m2，溫度25℃。

在該條件下，太陽(yáng)能板所輸出的功率稱為峰值功率，在很多情況下，組件的峰值功率通常用太陽(yáng)能模擬儀測(cè)定。影響太陽(yáng)能板輸出性能的主要因素有以下幾點(diǎn)：

1）負(fù)載阻抗

2）日照強(qiáng)度

3）溫度

4）陰影

其實(shí)可供制造太陽(yáng)電池的半導(dǎo)體材料很多，隨著材料工業(yè)的發(fā)展、太陽(yáng)電池的品種將越來(lái)越多。目前已進(jìn)行研究和試制的太陽(yáng)電池，除硅系列外，還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等許多類型的太陽(yáng)電池，舉不勝舉，通常這些材料都會(huì)用來(lái)制作非晶硅電池。