太陽電池是一種對(duì)光有響應(yīng)并能將光能轉(zhuǎn)換成電力的器件。能產(chǎn)生光伏效應(yīng)的材料有許多種，如：?jiǎn)尉Ч瑁嗑Ч瑁?非晶硅，砷化鎵，硒銦銅等。

它們的發(fā)電原理基本相同，現(xiàn)以晶體硅為例描述光發(fā)電過程。 P型晶體硅經(jīng)過摻雜磷可得N型硅，形成P-N結(jié)。

當(dāng)光線照射太陽電池表面時(shí)，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量傳遞給了硅原子，使電子發(fā)生了躍遷，成為自由電子在P-N結(jié)兩側(cè)集聚形成了電位差。

當(dāng)外部接通電路時(shí)，在該電壓的作用下，將會(huì)有電流流過外部電路產(chǎn)生一定的輸出功率。這個(gè)過程的實(shí)質(zhì)是：光子能量轉(zhuǎn)換成電能的過程。

多晶硅回收廠家淺談多晶硅的需求發(fā)展趨勢(shì)

受太陽能需求急劇增長(zhǎng)的影響，生產(chǎn)硅片的原材料多晶硅價(jià)格幾年之間上漲了3倍，而預(yù)計(jì)今后幾年多晶硅的供應(yīng)缺口將維持在5000噸左右，多晶硅價(jià)格有望繼續(xù)上漲。

好組件回收將有可能引發(fā)我國(guó)硅片生產(chǎn)行業(yè)新一輪洗牌，尋找國(guó)際技術(shù)合作伙伴將是途徑之一。

好組件回收為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽電池的成本，研究了硅片厚度對(duì)多晶硅太陽電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會(huì)下降。

總結(jié)碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯(cuò)位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線痕。

在整個(gè)切割過程中，對(duì)硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進(jìn)給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時(shí)候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時(shí)候容易出現(xiàn)。

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