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由于在擴(kuò)散過程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因此，務(wù)必對(duì)太陽能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。

為了制備合乎器件和集成電路制作要求的硅片表面，必須進(jìn)行拋光，以除去殘留的損傷層并獲得一定厚度的高平整度的鏡面硅片。拋光分機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、電子束拋光、離子束拋光，較普遍采用的是化學(xué)機(jī)械拋光?；瘜W(xué)機(jī)械拋光是化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨削同時(shí)進(jìn)行，分為銅離子拋光、鉻離子拋光和普遍采用的二氧化硅膠體拋光。二氧化硅膠體拋光是由極細(xì)的二氧化硅粉、氫氧化鈉（或有機(jī)堿）和水配制成膠體拋光液。在拋光過程中，氫氧化鈉與硅表面反應(yīng)生成硅酸鈉，通過與二氧化硅膠體的磨削，硅酸鈉進(jìn)入拋光液，兩個(gè)過程不停頓地同時(shí)進(jìn)行而達(dá)到拋光的目的。根據(jù)不同要求，可用一次拋光、二次拋光(粗拋光和精拋光)或三次拋光（粗拋光、中間拋光和精拋光）。為滿足超大規(guī)模集成電路對(duì)表面質(zhì)量和平整度的要求，已有無蠟拋光和無磨料拋光等新工藝。

有機(jī)硅料回收 有機(jī)硅料是指含有Si-C鍵、且至少有一個(gè)有機(jī)基是直接與硅原子相連的化合物。 硅料回收主要包括電子用消泡劑、高溫強(qiáng)堿型消泡劑、強(qiáng)酸強(qiáng)堿用消泡劑、高溫用消泡劑、涂料油墨用消泡劑、印花用消泡劑、印染用消泡劑、洗滌用消泡劑、水處理用消泡劑、造紙用消泡劑、復(fù)膜膠用消泡劑、通用型消泡王、食品醫(yī)藥用消泡劑、油溶性消泡劑、油墨用助劑、防粘增光滑爽劑、定向分散劑、水溶性消泡劑、流平劑、分散劑、增稠流平劑、柔軟滑爽劑、新型環(huán)保硬挺劑、汽車上光劑、防潮絕緣防污劑、紡織印染用助劑、抗靜電柔軟劑、平滑劑、硅酮密封膠、有機(jī)硅耐熱磁漆、有機(jī)硅防水劑、硅基柔軟劑、有機(jī)硅醇防水劑、高溫固化硅樹脂復(fù)合涂料、有機(jī)硅樹脂漆、有機(jī)硅疏水助劑、有機(jī)硅絕緣漆、各色有機(jī)硅耐熱磁漆、有機(jī)硅表面活性劑、硅醇、密封膠、粘合劑、有機(jī)硅平滑劑、陰離子型氨基改性硅溶液、有機(jī)硅羥乳、硅酸甲酯、硅酸乙酯、中性硅酮粘接密封劑、模具膠、六甲基二硅氨、三甲基氯硅烷氨、六甲基二硅醚、有機(jī)硅封頭劑、有機(jī)硅脫模劑、有機(jī)硅消泡劑、正硅酸乙酯。

1、 硅片回收的具體要求

其實(shí)對(duì)于無錫硅片回收來說，對(duì)他的切割也是一種加工的方法，只不過說在這個(gè)過程中對(duì)他的要求相對(duì)也是比較高的。簡單來說硅片的厚度對(duì)他的生產(chǎn)力是會(huì)產(chǎn)生影響的，當(dāng)然了要是我們沒有對(duì)昆山硅片回收的精度進(jìn)行控制的話，那勢必會(huì)對(duì)合格率帶來負(fù)面影響，相信大家都不希望看到這種結(jié)構(gòu)吧。除此之外我們還應(yīng)該要看看他的精度應(yīng)該要如何控制，要是把這方面掌握好了，那對(duì)我們整體作業(yè)的幫助還是蠻大的。

2、 硅片回收作業(yè)的注意點(diǎn)

其實(shí)當(dāng)我們在對(duì)昆山硅片回收進(jìn)行切割的時(shí)候，往往我們都會(huì)用到碳化切割，那么在這個(gè)過程中我們所需要注意的問題就比較多的。當(dāng)我們用碳化硅進(jìn)行切割，那他起到的主導(dǎo)作用就不用說了，不僅如此我們還應(yīng)該要看看他的硬度和圓形度是怎么樣的，總體來說這些細(xì)節(jié)對(duì)我們的作業(yè)起到的作用還是很關(guān)鍵的。要是有朋友發(fā)現(xiàn)他的切割能力下降了，那勢必對(duì)硅片的質(zhì)量也會(huì)有連帶影響，對(duì)于這點(diǎn)還是希望大家能夠注意的。