單個(gè)太陽(yáng)能電池不能直接用于供電。電池必須串聯(lián)，并聯(lián)并緊密封裝成元件。太陽(yáng)能電池組件是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的核心部分，也是太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的重要組成部分。它的功能是將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能，或儲(chǔ)存在蓄電池中，或驅(qū)動(dòng)負(fù)載。
對(duì)于正負(fù)電荷，由于PN結(jié)正負(fù)電荷分離，可以產(chǎn)生一個(gè)外部電流場(chǎng)，從晶體硅電池的底端流向電池的頂部。這就是“光伏效應(yīng)”。當(dāng)負(fù)載連接到太陽(yáng)能電池兩個(gè)表面的頂部和底部時(shí)，電流就會(huì)流過(guò)負(fù)載，太陽(yáng)能電池就會(huì)產(chǎn)生電流;太陽(yáng)能電池吸收的光子越多，電流就越大。光子的能量由波長(zhǎng)決定。光子在基本能量以下不能產(chǎn)生自由電子。一個(gè)光子高于基本能量的能量只會(huì)產(chǎn)生一個(gè)自由電子。多余的能量會(huì)使電池發(fā)熱。能量損失的影響會(huì)降低太陽(yáng)能電池的效率。
到了2030年，中國(guó)廢棄的光伏組件可以產(chǎn)生145萬(wàn)噸碳鋼、110萬(wàn)噸玻璃、54萬(wàn)噸塑料、26萬(wàn)噸鋁、17萬(wàn)噸銅、5萬(wàn)噸硅和550噸銀。歐洲有成熟的光伏回收監(jiān)管體系，世界其他地方尚缺乏規(guī)定來(lái)強(qiáng)制光伏組件的回收。在自家屋頂裝上光伏組件，享用太陽(yáng)能發(fā)電已越來(lái)越流行，太陽(yáng)能發(fā)電板(Solar panel)是通過(guò)吸收太陽(yáng)光，將太陽(yáng)輻射能通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接或間接轉(zhuǎn)換成電能的裝置，大部分太陽(yáng)能電池板的主要材料為“硅”，但因制作成本較大，以至于它普遍地使用還有一定的局限。
相對(duì)于普通電池和可循環(huán)充電電池來(lái)說(shuō)，太陽(yáng)能電池屬于更節(jié)能環(huán)保的綠色產(chǎn)品。
材料分類(lèi)
當(dāng)前，晶體硅材料(包括多晶硅和單晶硅)是主要的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。
多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)封鎖、市場(chǎng)壟斷的狀況。
多晶硅的需求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。
其中，用于電子級(jí)多晶硅占55%左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45%，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。
多晶硅回收廠家淺談多晶硅的需求發(fā)展趨勢(shì)
受太陽(yáng)能需求急劇增長(zhǎng)的影響，生產(chǎn)硅片的原材料多晶硅價(jià)格幾年之間上漲了3倍，而預(yù)計(jì)今后幾年多晶硅的供應(yīng)缺口將維持在5000噸左右，多晶硅價(jià)格有望繼續(xù)上漲。
好組件回收將有可能引發(fā)我國(guó)硅片生產(chǎn)行業(yè)新一輪洗牌，尋找國(guó)際技術(shù)合作伙伴將是途徑之一。
好組件回收為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽(yáng)電池的成本，研究了硅片厚度對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池的短路電流密度、開(kāi)路電壓和效率的影響?？梢钥闯觯诒ＷC多晶硅太陽(yáng)電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會(huì)下降。
總結(jié)碎硅片回收切割常見(jiàn)問(wèn)題
1、雜質(zhì)線(xiàn)痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過(guò)程中無(wú)法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線(xiàn)痕。
2、劃傷線(xiàn)痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過(guò)程中，SIC顆粒“卡”在鋼線(xiàn)與硅片之間，無(wú)法溢出，造成線(xiàn)痕。
表現(xiàn)形式：包括整條線(xiàn)痕和半截線(xiàn)痕，內(nèi)凹，線(xiàn)痕發(fā)亮，較其它線(xiàn)痕更加窄細(xì)。
3、密布線(xiàn)痕(密集型線(xiàn)痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問(wèn)題，造成硅片上出現(xiàn)密集線(xiàn)痕區(qū)域。
4、錯(cuò)位線(xiàn)痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線(xiàn)痕。
在整個(gè)切割過(guò)程中，對(duì)硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線(xiàn)的速度、鋼線(xiàn)的張力以及工件的進(jìn)給速度等。
線(xiàn)痕和TTV: 線(xiàn)痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時(shí)候出現(xiàn)，而線(xiàn)痕是在收線(xiàn)弓的時(shí)候容易出現(xiàn)。