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由于在擴(kuò)散過(guò)程中，即使采用背靠背擴(kuò)散，硅片的所有表面包括邊緣都將不可避免地?cái)U(kuò)散上磷。PN結(jié)的正面所收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到PN結(jié)的背面，而造成短路。因此，務(wù)必對(duì)太陽(yáng)能電池周邊的摻雜硅進(jìn)行刻蝕，以去除電池邊緣的PN結(jié)。通常采用等離子刻蝕技術(shù)完成這一工藝。

廢硅片回收拋光片檢測(cè)

包括目檢、幾何尺寸檢測(cè)和熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)等。目檢是在正面高強(qiáng)度光或大面積散射光照射下目測(cè)拋光片上的原生缺陷和二次缺陷。這些缺陷包括邊緣碎裂、沾污、裂紋、弧坑、鴉爪、波紋、槽、霧、嵌入磨料顆粒、小丘、桔皮、淺坑、劃道、亮點(diǎn)、退刀痕和雜質(zhì)條紋等。幾何尺寸的檢測(cè)包括硅片的厚度、總厚度變化、彎曲度和平整度的檢測(cè)。厚度為硅片中心上、下表面兩個(gè)對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的距離；總厚度變化為同一硅片上厚度值與小值之差；彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的值與小值之差；平整度指硅片表面上點(diǎn)與點(diǎn)的高度差，用總指示讀數(shù)表征。硅片的熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)是指硅拋光片表面的機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過(guò)程中均會(huì)產(chǎn)生熱氧化層錯(cuò)，經(jīng)擇優(yōu)腐蝕后，在金相顯微鏡下觀測(cè)熱氧化層錯(cuò)的密度，以此鑒定硅片表面的質(zhì)量。

硅片制成的芯片是有名的神算子，有著驚人的運(yùn)算才能。無(wú)論多么雜亂的數(shù)學(xué)疑問(wèn)、物理疑問(wèn)和工程疑問(wèn)，也無(wú)論核算的工作量有多大，工作人員只需經(jīng)過(guò)核算機(jī)鍵盤(pán)把疑問(wèn)通知它，并下達(dá)解題的思路和指令，核算機(jī)就能在極短的時(shí)間內(nèi)把答案通知你。這樣，那些人工核算需求花費(fèi)數(shù)年、數(shù)十年時(shí)間的疑問(wèn)，核算機(jī)能夠只需求幾分鐘就能夠處理。乃至有些人力無(wú)法核算出成果的疑問(wèn)，核算機(jī)也能很快通知你答案。微電子技能在航空航天、國(guó)防和工業(yè)主動(dòng)化中的無(wú)比威力更是眾所皆知的現(xiàn)實(shí)。

在大型電子核算機(jī)的操控下，無(wú)人飛機(jī)能夠自由地在藍(lán)天翱翔；人造衛(wèi)星、宇宙飛船、航天飛機(jī)能夠升空、飛翔、定位，并主動(dòng)向地上發(fā)回各種信息。在電子核算機(jī)的指揮下，火炮、導(dǎo)彈能夠百發(fā)百中，擊中方針，乃至能夠擊中空中疾速移動(dòng)方針，包含敵方正在飛翔中的導(dǎo)彈。工業(yè)中廣泛運(yùn)用核算機(jī)和各種傳感技能，能夠節(jié)約人力，進(jìn)步主動(dòng)化程度及加工精度，大大進(jìn)步勞動(dòng)生產(chǎn)功率。機(jī)器人已在許多工業(yè)范疇中呈現(xiàn)。更多相關(guān)產(chǎn)品金屬鎵，銦箔。

一個(gè)太陽(yáng)能電池只能產(chǎn)生大約0.5伏的電壓，遠(yuǎn)低于實(shí)際使用所需電壓。為了滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用的需要，需要把太陽(yáng)能電池連接成組件。太陽(yáng)能電池組件包含一定數(shù)量的太陽(yáng)能電池，這些太陽(yáng)能電池通過(guò)導(dǎo)線連接。如一個(gè)組件上，太陽(yáng)能電池的數(shù)量是36片，這意味著一個(gè)太陽(yáng)能組件大約能產(chǎn)生17伏的電壓。

通過(guò)導(dǎo)線連接的太陽(yáng)能電池被密封成的物理單元被稱(chēng)為太陽(yáng)能電池組件，具有一定的防腐，防風(fēng)，防雹，防雨的能力，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域和系統(tǒng)。當(dāng)應(yīng)用領(lǐng)域需要較高的電壓和電流而單個(gè)組件不能滿(mǎn)足要求時(shí)，可把多個(gè)組件組成太陽(yáng)能電池方陣，以獲得所需要的電壓和電流。