一個(gè)太陽(yáng)能電池只能產(chǎn)生大約0.5伏的電壓，遠(yuǎn)低于實(shí)際使用所需電壓。為了滿足實(shí)際應(yīng)用的需要，需要把太陽(yáng)能電池連接成組件。太陽(yáng)能電池組件包含一定數(shù)量的太陽(yáng)能電池，這些太陽(yáng)能電池通過(guò)導(dǎo)線連接。如一個(gè)組件上，太陽(yáng)能電池的數(shù)量是36片，這意味著一個(gè)太陽(yáng)能組件大約能產(chǎn)生17伏的電壓。
通過(guò)導(dǎo)線連接的太陽(yáng)能電池被密封成的物理單元被稱為太陽(yáng)能電池組件，具有一定的防腐，防風(fēng)，防雹，防雨的能力，廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域和系統(tǒng)。當(dāng)應(yīng)用領(lǐng)域需要較高的電壓和電流而單個(gè)組件不能滿足要求時(shí)，可把多個(gè)組件組成太陽(yáng)能電池方陣，以獲得所需要的電壓和電流。
廢硅片回收拋光片檢測(cè)
包括目檢、幾何尺寸檢測(cè)和熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)等。目檢是在正面高強(qiáng)度光或大面積散射光照射下目測(cè)拋光片上的原生缺陷和二次缺陷。這些缺陷包括邊緣碎裂、沾污、裂紋、弧坑、鴉爪、波紋、槽、霧、嵌入磨料顆粒、小丘、桔皮、淺坑、劃道、亮點(diǎn)、退刀痕和雜質(zhì)條紋等。幾何尺寸的檢測(cè)包括硅片的厚度、總厚度變化、彎曲度和平整度的檢測(cè)。厚度為硅片中心上、下表面兩個(gè)對(duì)應(yīng)點(diǎn)之間的距離；總厚度變化為同一硅片上厚度值與小值之差；彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的值與小值之差；平整度指硅片表面上點(diǎn)與點(diǎn)的高度差，用總指示讀數(shù)表征。硅片的熱氧化層錯(cuò)檢測(cè)是指硅拋光片表面的機(jī)械損傷、雜質(zhì)沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過(guò)程中均會(huì)產(chǎn)生熱氧化層錯(cuò)，經(jīng)擇優(yōu)腐蝕后，在金相顯微鏡下觀測(cè)熱氧化層錯(cuò)的密度，以此鑒定硅片表面的質(zhì)量。
硅片制成的芯片是有名的神算子，有著驚人的運(yùn)算才能。無(wú)論多么雜亂的數(shù)學(xué)疑問(wèn)、物理疑問(wèn)和工程疑問(wèn)，也無(wú)論核算的工作量有多大，工作人員只需經(jīng)過(guò)核算機(jī)鍵盤把疑問(wèn)通知它，并下達(dá)解題的思路和指令，核算機(jī)就能在極短的時(shí)間內(nèi)把答案通知你。這樣，那些人工核算需求花費(fèi)數(shù)年、數(shù)十年時(shí)間的疑問(wèn)，核算機(jī)能夠只需求幾分鐘就能夠處理。乃至有些人力無(wú)法核算出成果的疑問(wèn)，核算機(jī)也能很快通知你答案。微電子技能在航空航天、國(guó)防和工業(yè)主動(dòng)化中的無(wú)比威力更是眾所皆知的現(xiàn)實(shí)。
在大型電子核算機(jī)的操控下，無(wú)人飛機(jī)能夠自由地在藍(lán)天翱翔；人造衛(wèi)星、宇宙飛船、航天飛機(jī)能夠升空、飛翔、定位，并主動(dòng)向地上發(fā)回各種信息。在電子核算機(jī)的指揮下，火炮、導(dǎo)彈能夠百發(fā)百中，擊中方針，乃至能夠擊中空中疾速移動(dòng)方針，包含敵方正在飛翔中的導(dǎo)彈。工業(yè)中廣泛運(yùn)用核算機(jī)和各種傳感技能，能夠節(jié)約人力，進(jìn)步主動(dòng)化程度及加工精度，大大進(jìn)步勞動(dòng)生產(chǎn)功率。機(jī)器人已在許多工業(yè)范疇中呈現(xiàn)。更多相關(guān)產(chǎn)品金屬鎵，銦箔。
硅料回收是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發(fā)展的前沿。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等。由于太陽(yáng)能具有清潔、環(huán)保、方便等諸多優(yōu)勢(shì)，近三十年來(lái)，太陽(yáng)能利用技術(shù)在研究開(kāi)發(fā)、商業(yè)化生產(chǎn)、市場(chǎng)開(kāi)拓方面都獲得了長(zhǎng)足發(fā)展，成為世界快速、穩(wěn)定發(fā)展的新興產(chǎn)業(yè)之一。
1、石頭加工
開(kāi)始是石頭，(石頭都含硅)，把石頭加熱，變成液態(tài)，在加熱變成氣態(tài)，把氣體通過(guò)一個(gè)密封的大箱子，箱子里有N多的子晶加熱，兩頭用石墨夾住的，氣體通過(guò)這個(gè)箱子，子晶會(huì)把氣體中的一種吸符到子晶上，子晶慢慢就變粗了，因?yàn)槭菤怏w變固體，所以很慢，一個(gè)月左右，箱子里有就很多長(zhǎng)長(zhǎng)的原生多晶硅。
2、酸洗
當(dāng)然，還有很多的廢氣啊什么的，(四氯化硅)就是生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的吧，好像現(xiàn)在還不能很好處理這東西，廢話不多說(shuō)，原生多晶有了，就開(kāi)始酸洗，氫氟酸啊硝酸啊，乙酸啊什么的把原生多晶外面的東西洗干凈了，就過(guò)烘房烘干，無(wú)塵檢查打包。
3、拉晶
送到拉晶，拉晶就是用拉晶爐把多晶硅加熱融化，在用子晶向上拉引，工人先把多晶硅放進(jìn)石英鍋里，(廠里為了減少成本，也會(huì)用一些洗好的電池片，碎硅片一起融)關(guān)上爐子加熱，石英鍋的融點(diǎn)是1700度，硅的融點(diǎn)才1410度左右，融化了硅以后石英鍋慢慢轉(zhuǎn)起來(lái)，子晶從上面下降，點(diǎn)到鍋的中心液面點(diǎn)，也慢慢反方向轉(zhuǎn)，鍋下面同時(shí)在電加熱，液面上加冷，子晶點(diǎn)到液面上就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)光點(diǎn)，慢慢旋轉(zhuǎn)，向上拉引，放肩，轉(zhuǎn)肩，正常拉棒，收尾，半左右，一個(gè)單晶棒就出來(lái)了。
4、切方
單晶棒有了就切方，單晶棒一般是做6英寸的，P型，電阻率0。5-6歐姆(一英寸等于2。4厘米左右)切掉棒子四邊，做成有倒角的正方形，在切片，0。22毫米一片吧。