太陽(yáng)能發(fā)電——漁光互補(bǔ)在魚(yú)塘中也可以架設(shè)光伏陣列，池塘可以繼續(xù)養(yǎng)魚(yú)，光伏陣列還可以為養(yǎng)魚(yú)提供良好的遮擋作用，較好地解決了發(fā)展新能源和大量占用地的矛盾，因此農(nóng)業(yè)大棚和魚(yú)塘可以安裝分布式太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)。
“漁光互補(bǔ)”這種新型發(fā)電形式，上層用于太陽(yáng)能發(fā)電，下層用于水產(chǎn)養(yǎng)殖。由于只要將太陽(yáng)能面板支架立體布置于水面上方及魚(yú)塘沿岸，因此不需要占用寶貴的農(nóng)業(yè)、工業(yè)、住宅用地。這不僅節(jié)約了土地，提高了單位面積土地經(jīng)濟(jì)價(jià)值，在發(fā)電的同時(shí)也不會(huì)影響水產(chǎn)養(yǎng)殖，具有“一地兩用，漁光互補(bǔ)”的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了社會(huì)效益、經(jīng)濟(jì)效益和環(huán)境效益的共贏。
到了2030年，中國(guó)廢棄的光伏組件可以產(chǎn)生145萬(wàn)噸碳鋼、110萬(wàn)噸玻璃、54萬(wàn)噸塑料、26萬(wàn)噸鋁、17萬(wàn)噸銅、5萬(wàn)噸硅和550噸銀。歐洲有成熟的光伏回收監(jiān)管體系，世界其他地方尚缺乏規(guī)定來(lái)強(qiáng)制光伏組件的回收。在自家屋頂裝上光伏組件，享用太陽(yáng)能發(fā)電已越來(lái)越流行，太陽(yáng)能發(fā)電板(Solar panel)是通過(guò)吸收太陽(yáng)光，將太陽(yáng)輻射能通過(guò)光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接或間接轉(zhuǎn)換成電能的裝置，大部分太陽(yáng)能電池板的主要材料為“硅”，但因制作成本較大，以至于它普遍地使用還有一定的局限。
相對(duì)于普通電池和可循環(huán)充電電池來(lái)說(shuō)，太陽(yáng)能電池屬于更節(jié)能環(huán)保的綠色產(chǎn)品。
材料分類(lèi)
當(dāng)前，晶體硅材料(包括多晶硅和單晶硅)是主要的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。
多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠(chǎng)手中，形成技術(shù)封鎖、市場(chǎng)壟斷的狀況。
多晶硅的需求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。
其中，用于電子級(jí)多晶硅占55%左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45%，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過(guò)電子級(jí)多晶硅。
組件回收需要對(duì)組件進(jìn)行拆分，將鋁邊框、玻璃和接線(xiàn)盒部分去除，得到硅晶片。有效的完整硅晶片回收方法有“無(wú)機(jī)酸溶解法”和“熱處理法”。其中，后者又分為“固定容器熱處理法”和“流化床反應(yīng)器熱處理法”。
組件回收無(wú)機(jī)酸溶解法：用硝酸和過(guò)氧化氮混合酸，在一定的溫度條件下，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間將EVA溶解掉，與玻璃分類(lèi)。此法可保持晶硅片的完整，但需要進(jìn)一步對(duì)硅晶片進(jìn)行處理。
組件回收固定容器熱處理法：將光伏組件放入焚燒爐中，設(shè)置反應(yīng)溫度600℃進(jìn)行焚燒。焚燒完成后，將電池、玻璃和邊框等手工分離。回收的各類(lèi)材料進(jìn)入相應(yīng)的回收程序，塑料類(lèi)的材料完全焚燒。
總結(jié)碎硅片回收切割常見(jiàn)問(wèn)題
1、雜質(zhì)線(xiàn)痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過(guò)程中無(wú)法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線(xiàn)痕。
2、劃傷線(xiàn)痕：由砂漿中的SIC大顆?；蛏皾{結(jié)塊引起。切割過(guò)程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€(xiàn)與硅片之間，無(wú)法溢出，造成線(xiàn)痕。
表現(xiàn)形式：包括整條線(xiàn)痕和半截線(xiàn)痕，內(nèi)凹，線(xiàn)痕發(fā)亮，較其它線(xiàn)痕更加窄細(xì)。
3、密布線(xiàn)痕(密集型線(xiàn)痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問(wèn)題，造成硅片上出現(xiàn)密集線(xiàn)痕區(qū)域。
4、錯(cuò)位線(xiàn)痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線(xiàn)痕。
在整個(gè)切割過(guò)程中，對(duì)硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線(xiàn)的速度、鋼線(xiàn)的張力以及工件的進(jìn)給速度等。
線(xiàn)痕和TTV: 線(xiàn)痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時(shí)候出現(xiàn)，而線(xiàn)痕是在收線(xiàn)弓的時(shí)候容易出現(xiàn)。