用途：單晶硅具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金屬，且隨著溫度升高而增加，具有半導體性質(zhì)。單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第ЩA族元素，形成P型半導體，摻入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半導體結(jié)合在一起，就可做成太陽能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋?

單晶硅是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。

單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。

總結(jié)碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產(chǎn)生相關線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕。

在整個切割過程中，對硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當中遇到的比較頭疼的事，時不時就會出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時候容易出現(xiàn)。

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