1、總則
工程監(jiān)理改建工程項(xiàng)目中,大部分軟土地基處理采用濕噴樁進(jìn)行加固處理。濕噴樁是利用水泥或水泥系材料為固化劑,通過特制的深層攪拌機(jī)械,在地基深處就地將原位土和固化劑強(qiáng)制攪拌,形成水泥土圓柱體。由于固化劑和土之間產(chǎn)生一系列物理化學(xué)反應(yīng),使圓柱樁體具有一定的強(qiáng)度,樁體周圍的土得到部分改善,組成具有整體性、水穩(wěn)性和一定強(qiáng)度的復(fù)合地基,從而提高地基承載力,減少地基不均勻沉降,達(dá)到加固地基的目的。
2、施工前的監(jiān)理實(shí)施細(xì)則
濕噴樁施工的場地,事先回填整平到設(shè)計(jì)高程,清除雜物,查明施工段落上空和地下有無管線。若有,承包人應(yīng)提前向監(jiān)理組和指揮部匯報(bào),以便及時(shí)妥善解決。
2.1 機(jī)械設(shè)備監(jiān)理實(shí)施細(xì)則
2.1.1濕噴樁機(jī)必須采用專用濕噴樁機(jī),嚴(yán)禁采用粉噴樁機(jī)改裝。鉆頭應(yīng)為雙十字鉆頭,嚴(yán)禁使用利用自重下沉和無檔位直接利用卷揚(yáng)機(jī)進(jìn)行提升的鉆機(jī)。輸送管長度一般不大于60m,擺放平順,管道長度不得大于80m,接頭多不超過兩個(gè)。機(jī)械動力應(yīng)大于45kw以上,鉆頭葉片三層,每層兩片,上下間距為30cm 水平刀片與水平夾角為30℃,每片葉片寬10cm:鉆頭的直徑磨損不得大于2cm
2.1.2每臺濕噴樁必須配備能夠自動記錄、打印處理深度,單位長度水泥漿用量,復(fù)攪深度、水泥漿比重的電腦記錄裝置,即能打印每根樁施工過程中鉆頭每次下鉆深度及提高高度的全過程記錄和水泥漿漿量、水泥漿用量曲線圖和水泥漿比重,所有數(shù)據(jù)必須實(shí)時(shí)打印。
2.1.3所有的電流表、電壓表合和電腦計(jì)量裝置以及泥漿泵壓力表等裝置必須經(jīng)過計(jì)量部門的標(biāo)定認(rèn)可,關(guān)鍵設(shè)備上計(jì)量部門的簽封應(yīng)完整,每臺設(shè)備必須經(jīng)監(jiān)理人員現(xiàn)場試樁后由駐地監(jiān)理組統(tǒng)一發(fā)放進(jìn)場設(shè)備準(zhǔn)許證方可使用。
2.1.4對檢查合格的機(jī)組進(jìn)行編號、掛牌,要表明鉆機(jī)的編號、機(jī)長、質(zhì)檢員、技術(shù)員等相關(guān)內(nèi)容。
2.1.5施工前丈量鉆桿的長度,并標(biāo)上顯著的標(biāo)志,以便掌握鉆桿鉆入深度、復(fù)攪深度、保證設(shè)計(jì)樁長
2.2 進(jìn)場材料的監(jiān)理實(shí)施細(xì)則
2.2.1水泥采用普通硅酸鹽水泥PO42.5,應(yīng)對廠家進(jìn)行考察、了解。材料應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求與技術(shù)規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn),供應(yīng)量應(yīng)能滿足施工進(jìn)度要求。外摻劑為生石膏粉,參考摻入量為2%(占水泥重量),生石膏粉中SO4含量不小于40%,0.08mm方孔篩篩余小于15%,該石膏粉與水按1:O.5混合后,在密閉條件下48小時(shí)不產(chǎn)生凝結(jié)
2.2.2建立進(jìn)場水泥批次、數(shù)量、出廠日期、檢驗(yàn)批復(fù)文件的編號、現(xiàn)場存放地點(diǎn)以及相應(yīng)所使用的施工路段的原材料臺帳制度,要求現(xiàn)場監(jiān)理簽字確認(rèn)
2.2.3進(jìn)場水泥要按規(guī)范要求存放和保管,要防潮、防雨,對受潮、結(jié)塊的嚴(yán)禁使用
2.2.4建立各樁機(jī)的施工記錄臺帳,并隨時(shí)檢查及時(shí)簽證,其統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)用以對實(shí)際用量進(jìn)行總量核對。
2.3 測量放樣監(jiān)理實(shí)施細(xì)則
根據(jù)事前經(jīng)監(jiān)理組批準(zhǔn)的樁位布置圖,準(zhǔn)確放樣,并用木樁或竹簽標(biāo)示樁位,杜絕邊施工邊放樣,樁位必須經(jīng)監(jiān)理組測量工程師認(rèn)可。
2.4 現(xiàn)場工藝性試樁監(jiān)理實(shí)施細(xì)則
2.4.1為確定各種技術(shù)參數(shù),按首件工程認(rèn)可制要求進(jìn)行工藝性試樁,施工參數(shù)包括輸漿走漿的時(shí)間、停漿時(shí)間、攪拌軸下鉆提鉆的速度(檔位)電流值以及到達(dá)硬質(zhì)層時(shí)電流突變的位置等。