拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。 拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動(dòng)力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。

氧化硅拋光液 氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。 廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。

產(chǎn)品類型 硅材料 拋光液 藍(lán)寶石 拋光液 砷化鎵 拋光液 鈮酸鋰 拋光液 鍺拋光液 集成電路多次銅布線拋光液 集成電路阻擋層拋光液

研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質(zhì)硬切削量多，則研磨液的添加量應(yīng)多些。由于離心式研磨機(jī)在相同的時(shí)間內(nèi)切屑量多，所以研磨液的添加量應(yīng)多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水?dāng)噭蚝?，在光整時(shí)會(huì)粘附在零件與磨料的表面，對(duì)金屬表面氧化膜的化學(xué)作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。