包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光。 1、拋光劑投放量為（根據(jù)不同產(chǎn)品的大小，光飾機的大小和各公司的產(chǎn)品光亮度要求進行適當配置）； 2、拋光時間：根據(jù)產(chǎn)品的狀態(tài)來定； 3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

半導體行業(yè) CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。

研磨液的添加量是根據(jù)水質和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質硬切削量多，則研磨液的添加量應多些。由于離心式研磨機在相同的時間內切屑量多，所以研磨液的添加量應多些。研磨液少量滴入滾筒內被水攪勻后，在光整時會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。