單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。

為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進(jìn)一步降低，爭(zhēng)取實(shí)現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當(dāng)?shù)拇蟆Ｒ虼藢?shí)現(xiàn)太陽(yáng)能晶硅電池行業(yè)生產(chǎn)效率的提高及生產(chǎn)成本的降低，對(duì)于開(kāi)展寸超薄硅片切割方法的開(kāi)拓與創(chuàng)新研究是勢(shì)在必行的。

多晶硅產(chǎn)品陣營(yíng)內(nèi)部，多晶主打性?xún)r(jià)比，單晶主打，形成了差異化的產(chǎn)品層次，其中單晶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率更高、電學(xué)性能更優(yōu)，被認(rèn)為市場(chǎng)前景巨大。然而，根據(jù)市場(chǎng)占有率來(lái)看，多晶連續(xù)多年成為晶硅產(chǎn)品的主流。數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2009年至今，多晶產(chǎn)品應(yīng)用連年上升，至2015年已達(dá)76%的市占率高點(diǎn)。

這樣的光伏市場(chǎng)格局下，電學(xué)性能更好、單晶電池效率更高的單晶組件一直在追趕多晶的市場(chǎng)主導(dǎo)地位，并于2015年取得一定突破，但兩者之間還存在差距。