單晶硅按晶體伸長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法伸長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法伸長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。

它的工序，主要有：

切片：就是將硅棒切成薄硅片，具有一定的幾何尺寸。

退火：讓硅片表面發(fā)生氧化反應(yīng)，通過(guò)氧化爐，使其表面形成二氧化硅保護(hù)層。

倒角：硅片進(jìn)行修整，修整成圓弧形，避免產(chǎn)生缺陷，增加其平坦度。

商業(yè)化太陽(yáng)能電池就是清潔能源的一種，采用的是的晶硅，其中的單晶和多晶硅電池的特點(diǎn)就是光電轉(zhuǎn)換的效率比較高，使用的壽命較長(zhǎng)，穩(wěn)定性比較好，當(dāng)然成本也是較高的。

伴隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷提升與完善，雖然硅片制造成本在不斷降低，但是作為中心材質(zhì)的太陽(yáng)能電池所用硅片的切割成本一直居高不下，甚至可以占到太陽(yáng)能總制造成本的30%。