太陽(yáng)能電池板回收，太陽(yáng)能光伏組件有二十五年的質(zhì)保壽命，現(xiàn)在正往三十年延伸。三十年很長(zhǎng)，很了不起，但畢竟不是永生。隨著技術(shù)的發(fā)展和降本的要求，硅片的厚度從300微米降到200微米以下而且還要繼續(xù)降低，導(dǎo)致的后果就是硅片根本就經(jīng)不起化學(xué)處理的折騰。

重新利用太陽(yáng)能電池板里面的電池。很多時(shí)候失效的組件是因?yàn)楸嘲宀恍辛耍z膜變色了，玻璃壞了，但電池本身依舊堅(jiān)挺。重新利用太陽(yáng)能級(jí)硅。既然硅片也收不回來(lái)，那就再退一步，我們回收太陽(yáng)能級(jí)硅吧。雖然說(shuō)還要重新拉單晶或者鑄錠然后切片，至少提純的步驟我們省下來(lái)了啊!這個(gè)方案，就是現(xiàn)今主流的方向。碎就讓它碎吧，碎了我們重新拉晶或者鑄錠就好了。

為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽(yáng)電池的成本，研究了硅片厚度對(duì)多晶硅太陽(yáng)電池的短路電流密度、開(kāi)路電壓和效率的影響?？梢钥闯?，在保證多晶硅太陽(yáng)電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會(huì)下降。

結(jié)晶態(tài)硅材料的制備方法通常是先將硅石(SiO2)在電爐中高溫還原為冶金級(jí)硅(純度95%～99%)，然后將其變?yōu)楣璧柠u化物或氫化物，經(jīng)提純，以制備純度很高的硅多晶。包括硅多晶的西門子法制備、硅多晶的硅烷法制備。在制造大多數(shù)半導(dǎo)體器件時(shí)，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅單晶。通常用直拉法或區(qū)熔法由硅多晶制得硅單晶。