IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT的開關(guān)時間應綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率，減小開關(guān)損耗。但在大電感負載下，IGBT的開頻率不宜過大，因為高速開斷和關(guān)斷會產(chǎn)生很高的尖峰電壓，及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

IGBT開通后，驅(qū)動電路應提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。

采用脈沖變壓器隔離驅(qū)動IGBT，該方式是利用變壓器的工作原理，由次級感應電壓直接驅(qū)動IGBT，如上圖1所示。由于變壓器具有阻抗變換與隔離作用，所以這種驅(qū)動方式不僅簡化了驅(qū)動電路，還解決了驅(qū)動電路的供電與 IGBT不共地的連接問題。

向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸２⑶以贗GBT導通后。柵極驅(qū)動電路提供給IGBT的驅(qū)動電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時，柵極驅(qū)動電路提供的驅(qū)動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。