蘇州卡斯圖電子有限公司自主研發(fā)的近紅外金相顯微鏡，廣泛交付于半導(dǎo)體（Semiconductor）領(lǐng)域公司、平板顯示（FPD）公司、科研單位、高校及第三方實(shí)驗(yàn)室。
該技術(shù)方案得益于精密光學(xué)設(shè)計(jì)、納米級(jí)加工的集成式光學(xué)系統(tǒng)，兼容于常規(guī)金相顯微鏡（2寸-12寸）、常規(guī)體視顯微鏡（伽利略型及格林諾夫型）、常規(guī)工具顯微鏡、常規(guī)影像測(cè)量?jī)x、超景深顯微鏡、大型龍門(mén)工業(yè)顯微鏡（MAX120寸）。技術(shù)方案可采用結(jié)構(gòu)光、近紅外波段、中遠(yuǎn)紅外波段、太赫茲波段穿透芯片、顯示面板表層封裝的非金屬化合物，對(duì)客戶(hù)產(chǎn)品進(jìn)行無(wú)損檢查。其微米/納米級(jí)物體內(nèi)部無(wú)損檢測(cè)技術(shù)在VECSEL器件、薄膜型黏晶材料穿透、全復(fù)消色差紅外檢測(cè)、可見(jiàn)光/紅外對(duì)位檢測(cè)等應(yīng)用。
MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無(wú)損紅外顯微解決方案。
半導(dǎo)體（硅基）
初代半導(dǎo)體是單質(zhì)材料，因此也被稱(chēng)為“元素半導(dǎo)體”。世界上首只晶體管是由鍺（Ge）生產(chǎn)出來(lái)的，但鍺的非必要能耗與器件耗損，以及儲(chǔ)量和價(jià)格，相較硅來(lái)說(shuō)不具優(yōu)勢(shì)。硅（包括硅基）器件占到了銷(xiāo)售的初代半導(dǎo)體產(chǎn)品95%以上。
國(guó)內(nèi)前三晶圓代工廠，12寸晶圓無(wú)損穿透案例：詳細(xì)圖片請(qǐng)聯(lián)系我司
MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無(wú)損紅外顯微解決方案。
MIR全系列工業(yè)顯微鏡,2寸/4寸/6寸/8寸/12寸，能夠穿透樣品表面，進(jìn)行無(wú)損觀察檢測(cè)，檢測(cè)效果好、速度快，大幅提升了客戶(hù)效率。本系列顯微鏡可根據(jù)客戶(hù)要求定制濾片、鏡頭、相機(jī)、平臺(tái)，可搭配自動(dòng)傳動(dòng)設(shè)備。
MIR200近紅外金相顯微鏡——硅基無(wú)損紅外顯微解決方案
初代半導(dǎo)體（硅基）
薄膜型黏晶材料主要應(yīng)用于堆疊式晶片級(jí)封裝體（Stacked Chip Scale Package,SCSP）中，對(duì)于兩種黏晶材料DAF(Die Attach Film)與FOW(Film Over Wire)，公司紅外穿透顯微鏡結(jié)合特殊觀察方式，能夠輕松穿透兩種黏晶材料。
國(guó)內(nèi)早期LED制造企業(yè)之一，6寸晶圓無(wú)損穿透硅片背面及DAF膜案例：
半導(dǎo)體（硅基）圖片賞析：詳細(xì)圖片請(qǐng)聯(lián)系我司
已交付近50家國(guó)內(nèi)客戶(hù)用于硅（硅基）產(chǎn)品，以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。
半導(dǎo)體（硅基）圖片賞析：詳細(xì)圖片請(qǐng)聯(lián)系我司
已交付近50家國(guó)內(nèi)客戶(hù)用于硅（硅基）產(chǎn)品，以下為MIR200近紅外顯微鏡拍攝效果圖片。
紅外金相顯微鏡應(yīng)用范圍：
1.封裝芯片,晶圓級(jí)CSP/SIP的非破壞檢查,倒裝芯片封裝的不良狀況無(wú)損分析,透過(guò)硅觀察IC芯片內(nèi)部；IR近紅外線(xiàn)顯微鏡,可以對(duì)SiP（System in Package）三維組裝,CSP（Chip Size Package）等用可視觀察無(wú)法看到的領(lǐng)域進(jìn)行無(wú)損檢查和分析，正置紅外顯微鏡,專(zhuān)用紅外硅片檢測(cè)顯微鏡,硅襯底的CSP觀察。
2.Vcsel芯片隱裂（cracks),InGaAs瑕疵紅外無(wú)損檢測(cè),LED LD芯片出光面積測(cè)量,Chipping(chip crack)失效分析,封裝芯片的內(nèi)部缺陷，焊點(diǎn)檢查,鍵合片bumping,FlipChip正反面鍵合定位標(biāo)記重合誤差無(wú)損測(cè)量,可以定制開(kāi)發(fā)軟件模塊快速自動(dòng)測(cè)量重合誤差,硅基半導(dǎo)體Wafer,碲化鎘CdTe ,碲鎘汞HgCdTe等化合物襯底無(wú)損紅外檢測(cè),太陽(yáng)能電池組件綜合缺陷，紅外檢測(cè),LCD RGB像元面積測(cè)量。
3.IR顯微鏡可用于透過(guò)硅材料成像,倒裝芯片封裝的不良狀況無(wú)損分析,通過(guò)紅外顯微鏡對(duì)硅片穿透可觀察晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的位錯(cuò),隱裂痕,芯片劃片封裝的不良狀況無(wú)損分析,封裝后的焊接部分檢查,可直接穿透厚度不超過(guò)600μm的硅片,觀察IC芯片內(nèi)部,觀察內(nèi)部線(xiàn)路斷裂,崩邊,崩裂,溢出等,也應(yīng)用于包括產(chǎn)品晶圓生產(chǎn)內(nèi)部缺陷檢查,短斷路檢查,鍵合對(duì)準(zhǔn)（薄鍵合電路）。