純化技術

區(qū)熔法：一種通過熔化和重新結晶來純化材料的方法，可有效去除銦中的雜質，提高其純度。

電解精煉：利用電化學反應將銦從雜質中分離出來。將銦材料作為陽極，置于電解液中，通過施加電流使銦離子在陰極上沉積，從而得到高純度的銦。

化學純化：利用化學反應去除銦中的雜質，例如通過溶劑萃取和化學沉淀等方法，可有效分離和去除雜質，提高銦的純度。

先進封裝技術

應用：在芯片倒裝焊（Flip Chip）中作為焊料或熱界面材料，實現(xiàn)芯片與基板的電氣連接和熱傳導。

特點：低熔點（156.6℃）和高可靠性，適用于精密電子器件的低溫封裝。

銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關鍵材料，其應用深度和廣度直接反映一個國家在半導體、顯示、光伏等領域的技術水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復雜，銦靶的供應鏈已成為各國關注的重點。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時推動高純銦（99.999% 以上）制備技術的不斷突破。

濺射氣體控制

氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導致銦靶氧化（氧化銦導電性下降，易形成電弧放電）。

氣壓調節(jié)：

直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。

射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動態(tài)調整。