半導體材料

化合物半導體：

磷化銦（InP）：用于制造 5G 基站的射頻器件、激光雷達（LiDAR）的發(fā)射器、光纖通信中的激光器和探測器，是光電子和高頻電子領域的核心材料。

砷化銦（InAs）、銻化銦（InSb）：用于紅外探測器、量子計算元件和高速集成電路。

集成電路封裝：

銦焊料（如銦 - 錫合金）因低熔點（約 156℃）、高可靠性和抗腐蝕性，用于芯片與基板的連接（如倒裝芯片技術），尤其在航空航天和軍工領域不可替代。

精銦的核心特性

超高純度

雜質含量極低（如鉛、鋅、鐵等金屬雜質通常低于百萬分之一），確保材料性能的穩(wěn)定性和可靠性。

物理性質優(yōu)異

導電性：電阻率低（約 8.3 × 10?? Ω?m），接近純銀，適合高頻電路和精密電子器件。

延展性：可軋制成厚度僅 0.1 微米的箔材，或拉成極細的導線，用于柔性電子和微納加工。

低熔點：熔點 156.6℃，便于低溫焊接和合金制備，且焊接過程中不易損傷敏感元件。

化學穩(wěn)定性

在常溫下不易氧化（需在高溫或強腐蝕性環(huán)境中才會反應），適合高要求的密封和涂層應用。

半導體與微電子工業(yè)

化合物半導體材料

磷化銦（InP）單晶襯底：

精銦是制備 InP 晶圓的核心原料，用于生產(chǎn) 5G 基站的射頻芯片（如 HEMTs 高電子遷移率晶體管）、光纖通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子點發(fā)光器件（QLED）。

應用場景：5G 通信、數(shù)據(jù)中心光模塊、自動駕駛激光雷達（LiDAR）。

砷化銦（InAs）/ 銻化銦（InSb）：

用于紅外探測器（如軍用夜視儀、衛(wèi)星熱成像）和拓撲量子計算元件。

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