化合物半導(dǎo)體器件

場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達、光纖通信等高頻電子設(shè)備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

固態(tài)電池與儲能技術(shù)

前沿應(yīng)用：銦作為固態(tài)電解質(zhì)的界面改性材料，改善電極與電解質(zhì)的接觸阻抗，提升固態(tài)電池的循環(huán)壽命和性。

濺射時間與沉積厚度

厚度監(jiān)控：使用石英晶體微天平（QCM）實時監(jiān)測薄膜沉積速率，結(jié)合靶材消耗速率（約 0.1~0.5 μm/min，與功率相關(guān)），控制濺射時間。

靶材利用率：避免過度濺射導(dǎo)致靶材 “打穿”（剩余厚度＜2 mm 時需及時更換），通常平面靶材利用率約 30%~40%，旋轉(zhuǎn)靶可提升至 60% 以上。

小金屬：粗銦，精銦，ito銦靶材，粗稼，金屬鎵99.99以及廢料。高價回收鎳片，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，銦.銦絲.氧化銦.

高價回收鎳片，鎳泥，鎳催化劑，含鎳物料，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，高價 回收 ( 鉭 ) 鉭絲 鉭粉 鉭電容 鉭鈮 鉭鎢 ，銦.銦絲.氧化銦.金.金屬鍺.鍺錠99.999等.