半導(dǎo)體領(lǐng)域：純銦在半導(dǎo)體中用作薄膜層，銦靶材可用于制造高速電動(dòng)機(jī)的軸承涂層，使?jié)櫥途鶆蚍植?，還可用于半導(dǎo)體器件的制造，如集成電路、芯片等。

科研與前沿技術(shù)

1. 量子計(jì)算與超導(dǎo)器件

探索應(yīng)用：銦薄膜作為超導(dǎo)材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制備，利用其超導(dǎo)電性實(shí)現(xiàn)低損耗量子信號(hào)傳輸。

2. 柔性電子與可穿戴設(shè)備

技術(shù)方向：在柔性電路板（FPC）、電子皮膚中作為可拉伸導(dǎo)電薄膜，利用銦的高延展性滿(mǎn)足器件形變需求。

安裝前預(yù)處理

表面清潔：

用無(wú)水乙醇或丙酮擦拭靶材表面，去除油污、指紋及氧化層（可用無(wú)塵布蘸取溶劑沿同一方向擦拭，避免來(lái)回摩擦）。

若靶材表面有輕微氧化，可用細(xì)砂紙（800~1200 目）輕輕打磨，再用去離子水沖洗并干燥。

靶材檢查：

確認(rèn)靶材無(wú)裂紋、孔洞或脫落（銦質(zhì)地軟，運(yùn)輸或安裝時(shí)易磕碰損傷）。

檢查靶材與靶架的適配性（如尺寸公差、導(dǎo)電性接觸點(diǎn)），確保安裝牢固。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過(guò)高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過(guò)熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過(guò)熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過(guò)程中靶材溫度低于 80℃（高溫會(huì)導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。